10 月 22 日消息，中國臺灣地區(qū)晶圓代工企業(yè)聯(lián)華電子（IT之家注：即聯(lián)電、UMC）今日宣布推出55nm BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝平臺。
這一特色制程能在單一芯片上集成模擬、數(shù)字與電力元件，廣泛應(yīng)用于電源管理與混合信號集成電路，可提升移動設(shè)備、消費電子、汽車工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品的能效表現(xiàn)，并提供更小芯片面積與卓越抗噪聲表現(xiàn)。
聯(lián)電的55nm BCD平臺包含非外延 / 磊晶(Non-EPI)、外延 / 磊晶(EPI)、絕緣層上硅(SOI)三類制程，同時整合了UTM超厚金屬層、eFLASH嵌入式閃存、RRAM憶阻器等技術(shù)。
聯(lián)電技術(shù)研發(fā)副總經(jīng)理徐世杰表示：
55納米BCD平臺的推出，象征聯(lián)電在BCD技術(shù)布局上的重要里程碑，更進一步完善我們的特殊制程產(chǎn)品組合，強化在電源管理市場的競爭優(yōu)勢。
雖然55納米BCD制程已在市場上量產(chǎn)多年，聯(lián)電推出全新且全面的55納米BCD解決方案，具備卓越的組件特性，協(xié)助客戶打造創(chuàng)新電源解決方案，應(yīng)用范圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用、智能家庭與智慧工廠等領(lǐng)域。